УДК 539.2 :621.315.548.0 : 612.029.62, 621.315.592 • Випуск 4 (32) / 2020  • 71-76 сторінки Левицький С.М. Анотація У даній роботі наведено результати з розробки методики лазерного легування і створення діодних структур на базі напівпровідників Cd(Zn)Te, що зумовлено його привабливими фізичними характеристиками. Елементи цієї сполуки мають порівняно великі атомні числа, значний поперечний переріз для фотоелектричного … Читати далі 4 (32) 8. ДЕТЕКТОРИ НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ Cd(Zn)Te ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ РЕНТГЕНІВСЬКОГО І ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ